Разработчик инновационных диодов Шоттки получил 5 млн рублей инвестиций

Разработчик инновационных полупроводниковых диодов Шотки ООО "Политип" получит на развитие технологии 5 млн рублей от компании "Группа Кремний ЭЛ". По условиям договора разработка должна быть завершена к февралю 2013 года, в этом же году планируется начать серийное производство диодов категории качества высокочастотных переключателей, названных в честь немецкого физика Вальтера Шоттки.

Об этих сообщил СМИ директор по развитию ЗАО "Группа Кремний ЭЛ" (Брянск) Владимир Громов.

ООО "Политип" (Санкт-Петербург) учреждено при Физико-техническом институте имени А.Ф.Иоффе. Компания занимается разработкой мощных высоковольтных полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом на основе карбида кремния для энергоэффективных полупроводниковых преобразователей нового поколения

По словам Громова, приборы на основе карбида кремния - высоковольтные и высоконадежные, могут использоваться в жестких температурных условиях и повышенной радиации, что "чрезвычайно важно для военной и космической сфер". Диод Шоттки - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении.

"Группа Кремний ЭЛ" ожидает получить от питерских ученых-разработчиков полный технологический маршрут производства изделия, адаптированный под технологические процессы и оборудование брянского предприятия. Освоение нового изделия позволит вывести развитие элементной базы для силовой электроники, которая для нашего предприятия является приоритетной, на качественно новый этап", - сказал директор брянского производства.

Директор по развитию добавил, что потребности рынка в новшестве оцениваются как "очень высокие".

В свою очередь, генеральный директор ООО "Политип", доктор физико-математических наук Павел Иванов выразил уверенность в том, что "заключенное соглашение будет способствовать интенсивному внедрению научно-технических разработок и научного потенциала академической науки в серийное производство". Он также отметил, что при дальнейшем сотрудничестве с "Группой Кремний ЭЛ" по разработке новых технологий, в частности, JFET транзисторов, работа может осуществляться уже с привлечением на условиях софинансирования средств инновационного центра "Сколково", участником проекта которого является "Политип".