Samsung и Intel удалось заметно продвинуться в разработке интегрируемой MRAM

Разработки магниторезистивной памяти начались в 90-х годах прошлого века. Одно время такая память даже выпускалась в небольших объемах для коммерческого рынка. Между тем из-за низкой плотности записи запустить производство полноценных твердотельных накопителей ни одна компания так и не смогла. Сегодня MRAM используется лишь в SSD в качестве энергонезависимого буфера. Ситуация может измениться, если производство MRAM будет переведено на технологические процессы с меньшими нормами. Кроме этого, MRAM можно использовать в процессорах и контроллерах в качестве интегрируемой памяти.
 
Во время проведения специализированной конференции IEDM 2018 о прогрессе в разработке MRAM заявили сразу две компании. Речь идет об Intel Corp. и Samsung Electronics. К примеру, Intel занимается разработкой первого в индустрии техпроцесса производства интегрируемой STT-MRAM с вертикальными транзисторами по 22-нм нормам. В свою очередь, инженеры Samsung Electronics научились производить интегрируемую STT-MRAM на подложках FD-SOI по нормам 28-нм.
 
Каждая из компаний сообщила, что созданные образцы STT-MRAM крайне устойчивы к износу. Они способны обеспечить более 10 млн циклов перезаписи. Решение Intel позволяет хранить данные без каких-либо потерь на протяжении 10 лет при температуре 200 градусов.