Сконструирован рекордно быстрый графеновый транзистор
На данный момент, из графена уже были сделаны самый маленький транзистор в мире, транзистор с тройным режимом, транзисторный усилитель и суперконденсатор, который содержит больше энергии, чем батарея во время секундной подзарядки. И это только начало. Последним революционным изобретением из графена стал графеновый полевой транзистор (GFET), который может похвастаться высокой скоростью работы. По словам разработчиков, это устройство обеспечит высокую производительность электронных устройств и, возможно, вытеснит из употребления кремний, или будет применяться наравне с ним.
Несмотря на то, что графен обладает высокой электропроводимостью, он также не насыщается током (следствие нулевой запрещенной зоны графена). Это означает, что нет разницы между его проводящим и непроводящим состоянием, и графеновые транзисторы не так-то просто включить и выключить.
Доктор Закария Моктадир из научно-исследовательской группы Nano Университета Саутгемптона обнаружил частотную зависимость усиления по току в режиме короткого замыкания. Согласно профессору Хироши Мизута, главе научно-исследовательской группы Nano, коэффициент включения/выключения стал выше в 1000 раз по сравнению с предыдущими попытками с использованием других методов.
«По всему миру были предприняты попытки воздействовать электростатическим путем на канал GFET, но для всех существующих способов требовалось, чтобы ширина канала превышала 10 нанометров или повышенная сила тока, вертикально направленная на двуслойные графеновые нанопровода», говорит профессор. «Мы не добились достаточно высокого коэффициента включения не подходит для практического применения».
Исследователи полагают, что такой прорыв в электронике оставит позади изживающие себя CMOS-технологии (комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник).
«Использование графена имеет большое значение для следующего поколения компьютеров, связи и электронных систем. Замыкание графенового канала – это новая концепция, позволяющая сохранить высокую производительность GFET при сохранении простой конструкции, что делает её коммерчески пригодной», говорит профессор Харви Ратт, глава отдела электроники и информатики университета Саутгемптона.
После создания транзистора, доктор Моктадир занимается дальнейшими исследованиями графена и пытается понять, что вызывает остановку тока в канале. Он также тестирует надежность транзисторов и их производительность при различных шумах и температурных условиях.
Несмотря на то, что графен обладает высокой электропроводимостью, он также не насыщается током (следствие нулевой запрещенной зоны графена). Это означает, что нет разницы между его проводящим и непроводящим состоянием, и графеновые транзисторы не так-то просто включить и выключить.
Доктор Закария Моктадир из научно-исследовательской группы Nano Университета Саутгемптона обнаружил частотную зависимость усиления по току в режиме короткого замыкания. Согласно профессору Хироши Мизута, главе научно-исследовательской группы Nano, коэффициент включения/выключения стал выше в 1000 раз по сравнению с предыдущими попытками с использованием других методов.
«По всему миру были предприняты попытки воздействовать электростатическим путем на канал GFET, но для всех существующих способов требовалось, чтобы ширина канала превышала 10 нанометров или повышенная сила тока, вертикально направленная на двуслойные графеновые нанопровода», говорит профессор. «Мы не добились достаточно высокого коэффициента включения не подходит для практического применения».
Исследователи полагают, что такой прорыв в электронике оставит позади изживающие себя CMOS-технологии (комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник).
«Использование графена имеет большое значение для следующего поколения компьютеров, связи и электронных систем. Замыкание графенового канала – это новая концепция, позволяющая сохранить высокую производительность GFET при сохранении простой конструкции, что делает её коммерчески пригодной», говорит профессор Харви Ратт, глава отдела электроники и информатики университета Саутгемптона.
После создания транзистора, доктор Моктадир занимается дальнейшими исследованиями графена и пытается понять, что вызывает остановку тока в канале. Он также тестирует надежность транзисторов и их производительность при различных шумах и температурных условиях.