Предложен новый способ изготовления транзисторов с трёхмерной структурой
Исследователи из Университета Пердью и Гарвардского университета (оба — США) ищут новые материалы для изготовления транзисторов с трёхмерной структурой, призванные прийти на смену традиционному кремнию.
В 2012 году корпорация Intel начнёт производство первых в мире процессоров, использующих технологию Tri-Gate, которая предполагает переход от планарных структур транзисторов к объёмным. 22-нанометровые микрочипы Ivy Bridge обеспечат 37-процентный прирост быстродействия по сравнению с современными 32-нанометровыми изделиями.
Кроме того, уже ведутся исследования по разработке и внедрению 14-нанометровой технологии производства. Однако дальнейшая миниатюризация, считают американские учёные, будет сопряжена с рядом трудностей, отчасти вызванных ограничениями на размеры элементов, свойственными кремнию.
Вместо этого материала предлагается использовать полупроводники группы III-V (соединения, в которые входят элементы из подгрупп бора и азота). Речь, в частности, идёт об арсениде индия-галлия InGaAs.
По мнению исследователей, применение InGaAs в транзисторах с трёхмерной структурой позволит преодолеть рубеж в 10 нанометров. А это означает возможность разработки более производительных процессоров с меньшим энергопотреблением.
Результаты работ учёные намерены представить на конференции International Electron Devices Meeting в Вашингтоне (США).
Подготовлено по материалам .
(На фото - схематичное изображение транзистора с планарной (слева) и трёхмерной структурой)
В 2012 году корпорация Intel начнёт производство первых в мире процессоров, использующих технологию Tri-Gate, которая предполагает переход от планарных структур транзисторов к объёмным. 22-нанометровые микрочипы Ivy Bridge обеспечат 37-процентный прирост быстродействия по сравнению с современными 32-нанометровыми изделиями.
Кроме того, уже ведутся исследования по разработке и внедрению 14-нанометровой технологии производства. Однако дальнейшая миниатюризация, считают американские учёные, будет сопряжена с рядом трудностей, отчасти вызванных ограничениями на размеры элементов, свойственными кремнию.
Вместо этого материала предлагается использовать полупроводники группы III-V (соединения, в которые входят элементы из подгрупп бора и азота). Речь, в частности, идёт об арсениде индия-галлия InGaAs.
По мнению исследователей, применение InGaAs в транзисторах с трёхмерной структурой позволит преодолеть рубеж в 10 нанометров. А это означает возможность разработки более производительных процессоров с меньшим энергопотреблением.
Результаты работ учёные намерены представить на конференции International Electron Devices Meeting в Вашингтоне (США).
Подготовлено по материалам .
(На фото - схематичное изображение транзистора с планарной (слева) и трёхмерной структурой)
Похожее
Ученые изобрели "электронную кожу"
Intel представила первые данные о 15-нанометровых чипах
Фирменные 10-нм чипы Intel выйдут на рынок лишь в 2019 году
Пластиковая электроника может удешевить полупроводниковое производство
Создан первый микрочип на основе молибденита
Кремниевая электроника: сняты ограничения по длине волны света