Samsung и SK Hynix намерены нарастить объемы инвестиционных вложений в изготовление памяти

В настоящий момент на территории Китайской Народной Республики возводится сразу несколько крупных технологических кластеров, которые возьмут на себя производство памяти 3D NAND. Для мировых вендоров они пока представляют призрачную угрозу, поскольку выйти на заявленные производственные объемы им удастся не ранее, чем через 5–7 лет. В течение указанного срока на глобальном рынке памяти продолжат доминировать такие игроки, как Micron, SK Hynix и Samsung Electronics.

Согласно информации, имеющейся в распоряжении местного издания BusinessKorea, руководство обоих южнокорейских вендоров намерено пойти на упреждающие шаги с целью укрепления собственных позиций на глобальном рынке памяти. Так, до конца текущего года корпорация Samsung Electronics и компания Hynix Semiconductor Inc. планируют вложить в развитие собственного полупроводникового бизнеса порядка 14 млрд американских долларов, т. е. на 27,3% больше, нежели годом ранее.

К примеру, корпорация Samsung намерена израсходовать на эти цели около 10 млрд долларов, т. е. на 25% больше, чем в 2016 году. В свою очередь, компания Hynix Semiconductor Inc. планирует инвестировать в развитие своего полупроводникового бизнеса 6,13 млрд долларов США, 4 млрд из которых будет направлено на строительство новых фабрик. Что касается всех прочих игроков данного рынка, то они, напротив, намерены сократить объемы капитальных вложений в развитие этого бизнеса, причем на сотни миллионов американских долларов. И это неудивительно, поскольку выдержать возрастающую буквально с каждым днем конкурентную борьбу на рынке под силу лишь его ведущим игрокам. К тому же строительство в КНР крупных производственных кластеров по определению не способно добавить оптимизма представителям полупроводниковой промышленности.