Intel и Micron Technology анонсировали поставки флэш-памяти на стыке технологий 25 нм и 3-bpc

Intel Corporation и Micron Technology начинают поставки совместной разработанной флэш-памяти. Новый продукт произведен на основе технологии 3 bit-per-cell с использованием 25-нанометрового технологического процесса. Образцы чипов отправлены потенциальным заказчикам. Наладить выпуск продукции в промышленных масштабах компании планируют к концу 2010 года.

64-гигабитное устройство позволяет снизить производственные затраты и повысить емкость для устройств памяти, которые могут быть использованы в устройствах USB, разных типах флэш-карт и найти применение на потребительском рынке электроники. Производителям удалось достичь уменьшения размера микросхемы на 20 процентов. Сейчас площадь устройства составляет 131 квадратный мм, что соответствует промышленному стандарту TSOP.

Уменьшение размера флэш-памяти особенно важно для конечного потребителя, для которого создаются все более компактные, удобные и функциональные цифровые устройства.