Разработан полупроводниковый электроразрядный лазер

Сотрудники Физического института им. П.Н. Лебедева РАН (ФИАН) и Института Электрофизики УрО РАН (г. Екатеринбург) разработали конструкцию нового типа лазера – полупроводникового электроразрядного. С некоторым приближением устройство можно назвать более совершенной версией стримерного полупроводникового лазера.

Термин «электроразрядный лазер» более известен в сочетании с газовой средой – электроразрядные газовые лазеры довольно распространены. Принцип их работы, условно говоря, заключается в следующем: напряжение, прикладываемое к газовой трубке, ускоряет электроны, активизируя процесс ионизации, в результате возникают условия для оптических переходов, которые способствуют усилению, а потом генерации лазерного излучения. Что касается полупроводников, то известны «стримерные» полупроводниковые лазеры, возбуждаемые наносекундными (10-7-10-8 с) импульсами высокого напряжения. Эти лазеры содержат генератор высоковольтных импульсов, один электрод которого подсоединен к полупроводниковой пластине, помещенной в жидкий диэлектрик, а второй удален на значительное расстояние для предотвращения пробоя полупроводниковой пластины. Существенным недостатком таких лазеров является возникновение генерации лазерного излучения вдоль определенных кристаллографических направлений и малый диаметр генерирующей области (до десятка микрон), что связанно с распределением электрических полей в кристалле и ограничивает мощность, увеличивает расходимость излучения и не позволяет управлять числом и местом положения генерирующих областей.

Сотрудники ФИАН и Института Электрофизики УрО РАН смогли устранить перечисленные недостатки, для чего существенно изменили конструкцию лазера и, в частности, применили возбуждение пикосекундными импульсами. Под действием пикосекундных импульсов электрического поля и электронного пучка в результате ударной ионизации, туннельного и фотоэффекта образуется плотная электронно-дырочная плазма, в которой возникают условия для усиления и генерации лазерного излучения.

Предусматривается применение лазера в устройствах оптоэлектроники, оптической связи, при исследовании быстропротекающих процессов в биологических тканях и в регистрирующих приборах.